Onsemi 2N7002LT1G

Il MOSFET a canale N 2N7002L di onsemi è un transistor versatile e compatto progettato per un'ampia gamma di applicazioni. Dotato di una tensione di rottura drain-source (Vds) di 60 V e di una corrente di drain continua (Id) di 115 mA, questo MOSFET è ideale per attività di commutazione e amplificazione a bassa potenza. Il suo funzionamento in modalità di potenziamento garantisce prestazioni efficienti, mentre il basso Rds(on) di 7,5 Ohm riduce al minimo la perdita di potenza.

Con un intervallo di tensione gate-source (Vgs) da -20 V a +20 V e una tensione di soglia gate-source (Vgs(th)) di 1 V, il 2N7002L offre caratteristiche di commutazione affidabili. I tempi di ritardo all'accensione e allo spegnimento tipici del dispositivo, rispettivamente di 20 ns e 40 ns, consentono una risposta rapida nei circuiti ad alta velocità.

Progettato per la tecnologia a montaggio superficiale, il 2N7002L viene fornito in un package SOT-23-3, che lo rende adatto per layout PCB compatti. Funziona in un ampio intervallo di temperature da -55 °C a +150 °C, garantendo una lunga durata in varie condizioni ambientali. La dissipazione di potenza (Pd) del MOSFET di 300 mW ne migliora ulteriormente l'affidabilità nelle applicazioni più impegnative.

Questo MOSFET è conforme agli standard RoHS, garantendo che soddisfi le normative ambientali e di sicurezza. È disponibile in varie opzioni di imballaggio, tra cui bobina, nastro pretagliato e MouseReel, offrendo flessibilità per le diverse esigenze di...