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Infineon IMW120R045M1XKSA1

Infineon CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET

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Infineon IMW120R045M1XKSA1 CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET
Immagine di catalogo del produttore
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Infineon IMW120R045M1XKSA1 CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET
Infineon IMW120R045M1XKSA1 CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET

Descrizione del prodotto

Conforme a RoHS

The Infineon CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package is designed to deliver exceptional performance and reliability in power conversion applications. Utilizing advanced trench semiconductor technology, this MOSFET provides significant advantages over traditional silicon-based switches such as IGBTs and MOSFETs.

Key Features:

  • Lowest gate charge and device capacitance levels in 1200V switches
  • No reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode
  • Temperature independent low switching losses
  • Threshold-free on-state characteristic
  • Ideal for:

  • Power factor correction (PFC) circuits
  • Bi-directional topologies
  • DC-DC converters
  • DC-AC inverters
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    Specifiche tecniche

    Marchio
    Infineon
    Ciss
    1900 pF
    Coss
    115 pF
    ID (@25°C) max
    52 A
    Ptot (@25°C) max
    228 W
    Polarity
    N
    QG (typ @15V)
    52 nC

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    Aggiornato il: 19-09-2026
    Fornitore
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    Garanzia
    Non indicata

    Documenti

    Scheda tecnica

    Scheda tecnica per Infineon IMW120R045M1XKSA1, incluse specifiche e caratteristiche.

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    Dati del prodotto aggiornati: 29-07-2026

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    Analisi di mercato per IMW120R045M1XKSA1

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    • Dati sulla disponibilità di magazzino in tempo reale da oltre 700 distributori MRO in Europa e negli Stati Uniti.
    • Analisi dei prezzi per condizione (nuovo, usato, ricondizionato) con prezzi mediani di mercato
    • Monitoraggio della disponibilità dei componenti critici per prevenire i tempi di inattività della produzione