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Stmicroelectronics BDW94C
STMicroelectronics BDW93C NPN Power Transistor
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Descrizione del prodotto
The STMicroelectronics BDW93C is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in a monolithic Darlington configuration, housed in a Jedec TO-220 plastic package. This device is designed for use in power linear and switching applications, offering high current gain and integrated antiparallel collector-emitter diode for enhanced performance. The BDW93C is part of a complementary PNP-NPN device pair, with the BDW94C as its PNP counterpart.
Key features of the BDW93C include its high current capacity of up to 12A, integrated antiparallel diode, and robust thermal performance with a thermal resistance junction-case of 1.56°C/W. This makes it suitable for a wide range of industrial applications, including power supplies, motor control, and other high-power switching operations.
The BDW93C adheres to stringent industry standards, ensuring reliable and efficient operation in demanding environments. Its durable TO-220 package provides excellent heat dissipation, contributing to the overall longevity and stability of the device.
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Specifiche tecniche
- Marchio
- Stmicroelectronics
- Collector-Base Voltage (V_CBO)
- 100V
- Collector-Emitter Voltage (V_CEO)
- 100V
- Collector Current (I_C)
- 12A
- Collector Peak Current (I_CM)
- 15A
- Base Current (I_B)
- 0.2A
- Total Dissipation (P_tot)
- 80W
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