Onsemi 2N7002LT1G

Der onsemi 2N7002L N-Kanal-MOSFET ist ein vielseitiger und kompakter Transistor, der für eine Vielzahl von Anwendungen konzipiert wurde. Mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung (Vds) von 60 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 115 mA ist dieser MOSFET ideal für Schalt- und Verstärkungsaufgaben mit geringem Stromverbrauch. Der Betrieb im Enhancement-Modus sorgt für eine effiziente Leistung, während der niedrige Rds(on) von 7,5 Ohm den Leistungsverlust minimiert.

Mit einem Gate-Source-Spannungsbereich (Vgs) von -20 V bis +20 V und einer Gate-Source-Schwellenspannung (Vgs(th)) von 1 V bietet der 2N7002L zuverlässige Schalteigenschaften. Die typischen Ein- und Ausschaltverzögerungen des Bausteins von 20 ns bzw. 40 ns ermöglichen eine schnelle Reaktion in Hochgeschwindigkeitsschaltungen.

Der 2N7002L wurde für die Oberflächenmontagetechnologie entwickelt und wird in einem SOT-23-3-Gehäuse geliefert, wodurch er für kompakte Leiterplattenlayouts geeignet ist. Er arbeitet über einen weiten Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C und gewährleistet so eine lange Lebensdauer unter verschiedenen Umgebungsbedingungen. Die Verlustleistung (Pd) des MOSFETs von 300 mW erhöht seine Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Anwendungen zusätzlich.

Dieser MOSFET entspricht den RoHS-Standards und stellt sicher, dass er die Umwelt- und Sicherheitsvorschriften erfüllt. Es ist in verschiedenen Verpackungsoptionen erhältlich, darunter Rolle, geschnittenes Band und MouseReel, und bietet...