Onsemi 2N7002LT1G

Tranzystor N-Channel MOSFET onsemi 2N7002L to wszechstronny i kompaktowy tranzystor przeznaczony do szerokiego zakresu zastosowań. Wyposażony w napięcie przebicia dren-źródło (Vds) 60 V i ciągły prąd drenu (Id) 115 mA, ten MOSFET jest idealny do zadań przełączania i wzmacniania o niskiej mocy. Jego praca w trybie wzmocnienia zapewnia wydajną wydajność, a niski Rds(on) wynoszący 7,5 Ohm minimalizuje straty mocy.

Dzięki zakresowi napięcia bramka-źródło (Vgs) od -20 V do +20 V i napięciu progowemu bramka-źródło (Vgs(th)) wynoszącemu 1 V, 2N7002L oferuje niezawodną charakterystykę przełączania. Typowe czasy opóźnienia włączenia i wyłączenia urządzenia, wynoszące odpowiednio 20 ns i 40 ns, umożliwiają szybką reakcję w obwodach o dużej prędkości.

Zaprojektowany do technologii montażu powierzchniowego, 2N7002L jest dostarczany w obudowie SOT-23-3, dzięki czemu nadaje się do kompaktowych układów PCB. Działa w szerokim zakresie temperatur od -55°C do +150°C, zapewniając trwałość w różnych warunkach środowiskowych. Rozpraszanie mocy (Pd) tranzystora MOSFET wynoszące 300 mW dodatkowo zwiększa jego niezawodność w wymagających zastosowaniach.

Ten tranzystor MOSFET jest zgodny ze standardami RoHS, dzięki czemu spełnia przepisy dotyczące ochrony środowiska i bezpieczeństwa. Jest dostępny w różnych opcjach pakowania, w tym w szpuli, taśmie ciętej i MouseReel, zapewniając elastyczność dla różnych potrzeb produkcyjnych.