K3PE7E700B-XXC1
Samsung K3PE7E700B-XXC1 3Xnm 4Gb DRAM móvil
El informe Samsung K3PE7E700B-XXC1 3Xnm 4Gb Mobile DRAM proporciona una revisión en profundidad del proceso y un análisis dopante de la DRAM móvil LPDDR2 de 32nm 4Gb de Samsung. Este informe incluye una amplia vista del plan TEM y un análisis transversal, centrándose en las tecnologías clave relacionadas con la fabricación y el rendimiento de la memoria.Características principales:Análisis detallado de silicio activo y línea de palabras Análisis demateriales y estructura de microcondensadoresDiseño y metalización de celdas de memoriaLógica y dimensiones críticasIdeal para:Ingenieros de fabricación de memoriaInvestigadores de semiconductoresAnalistas de tecnología
- Nuevo Precintado de Fábrica780 piezas
- Desconocido680 piezas