Onsemi 2N7002LT1G

El MOSFET de canal N onsemi 2N7002L es un transistor versátil y compacto diseñado para una amplia gama de aplicaciones. Con un voltaje de ruptura de la fuente de drenaje (Vds) de 60 V y una corriente de drenaje continua (Id) de 115 mA, este MOSFET es ideal para tareas de conmutación y amplificación de baja potencia. Su funcionamiento en modo de mejora garantiza un rendimiento eficiente, mientras que el bajo Rds (encendido) de 7,5 ohmios minimiza la pérdida de energía.

Con un rango de voltaje de fuente de puerta (Vgs) de -20V a +20V y un voltaje umbral de fuente de puerta (Vgs(th)) de 1V, el 2N7002L ofrece características de conmutación confiables. Los tiempos de retardo de encendido y apagado típicos del dispositivo de 20 ns y 40 ns, respectivamente, permiten una respuesta rápida en circuitos de alta velocidad.

Diseñado para la tecnología de montaje en superficie, el 2N7002L viene en un paquete SOT-23-3, lo que lo hace adecuado para diseños de PCB compactos. Funciona en un amplio rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que garantiza la durabilidad en diversas condiciones ambientales. La disipación de potencia (Pd) del MOSFET de 300 mW mejora aún más su confiabilidad en aplicaciones exigentes.

Este MOSFET cumple con los estándares RoHS, lo que garantiza que cumple con las regulaciones ambientales y de seguridad. Está disponible en varias opciones de empaque, que incluyen carrete, cinta cortada y MouseReel, lo que brinda flexibilidad para diferentes necesidades de...